李培瑛：DRAM吃緊到2028

南亞科總經理李培瑛指出，今年至明年上半年全球DRAM新增產能有限，市場供需仍相對緊張，即使部分廠商規劃擴產，實際產能釋放仍需時間，供需吃緊狀況可能要到2028年之後，才有機會逐步改善。

近期市場需求回溫，加上供給端轉向高頻寬記憶體（HBM），帶動DRAM價格上行。據了解，三星、SK海力士與美光三大原廠第二季合約價已陸續開出，預估漲幅可達4成。

由於南亞科產品報價通常落後三大原廠一段時間，法人預期，南亞科本波報價高峰將落在第二季。

　另，南亞科董事會4日決議，2026年資本支出以不超過新台幣520億元為上限，並擬配發每股現金股利約1.5元。南亞科2025年每股稅後純益2.13元，此次配息率約70.4％。

南亞科同時推動新廠投資計畫，新廠總投資金額將超過100億美元，規劃最大月產能達4.5萬片晶圓，並導入先進1B、1C與1D製程技術，預計於2027年初開始第一階段設備裝機，未來將成為南亞科先進DRAM製程的重要生產基地。

李培瑛表示，高頻寬記憶體（HBM）需求快速攀升，已成為改變DRAM市場結構的重要力量。

　HBM雖在整體DRAM位元需求中占比仍不高，但因製程複雜、堆疊層數多，生產相同容量HBM所需產能約為一般DRAM的兩至2.5倍，因此即使HBM需求占比僅約一成，實際可能消耗市場約四分之一的產出。

他指出，供應商為因應AI需求，紛紛將部分產能轉向HBM，壓縮DDR4與LPDDR4等產品供給，成為近期市場缺貨與價格走強的重要原因。

李培瑛認為，AI運算需求目前主要集中在雲端資料中心，但隨著AI模型從訓練（training）逐步擴展至推論（inference），未來AI應用將持續由雲端延伸至終端裝置，帶動更龐大的記憶體需求。

他指出，全球資料中心資本支出仍持續擴張，主要雲端業者均積極投入AI基礎建設，未來數年AI相關記憶體需求仍將維持成長動能。

在產品策略方面，南亞科持續優化DDR5、DDR4與低功耗DRAM（LPDDR）產品組合，目前DDR5已經量產超過一年，並正開發高密度RDIMM產品，規劃推出128GB、5600與6400等高速規格，希望能藉以切入資料中心與高效能運算市場。