陸半導體曝光機 落後ASML二十年

　中國力抗美國聯合各國的技術圍堵，近年傾國家之力快速發展半導體產業，但高盛最新研究報告指出，中國在半導體的關鍵製造環節曝光機（陸稱光刻機）研發仍存在瓶頸，目前停留在65奈米，較荷蘭大廠艾司摩爾（ASML）落後至少20年的時間。

　芯智訊引述高盛報告指出，中國晶圓代工龍頭中芯國際目前最先進製程為7奈米晶片，但有可能仍是透過ASML較舊的深紫外光（DUV）曝光機來生產製造。由於中國本土尚不具備先進曝光機製造能力，而ASML依賴美國原產關鍵零部件，美國近年以此聯手荷蘭、日本等國家，對中國實施相關設備出口管制。

　報告指出，曝光技術是晶片製造流程中的決定性關鍵，而中國國產的曝光機的技術水準仍停留在相對較舊的65奈米製程。相比之下，台積電已可利用ASML的曝光機大規模生產3奈米晶片，並即將量產2奈米晶片，可看出中國在技術上的差距。

　目前ASML掌握全球最先進的曝光機製造技術，包括製造5奈米及以下更先進製程的晶片需要依靠的極紫外光（EUV）曝光機；以及埃米級製程所需用到更先進的高數值孔徑（High NA）EUV曝光機等。

　中國政府近年加快努力推動半導體產業發展，其中，曝光機正是政策指明要重點突破發展「卡脖子」技術及裝備。中國曝光機行業獲得官方資金支援、稅收優惠等一系列國家政策傾斜，持續助力國產曝光機生產能力提升，推動市場規模上漲。

　智研諮詢2025年年初「2025～2031年中國曝光機產業發展態勢及投資決策建議報告」顯示，2023年中國曝光機產量達124台，全國曝光機市場規模已突破至人民幣（下同）160.87億元。

　但是，高盛最新分析指出，ASML從65奈米技術躍升至低於3奈米的光刻能力，經過長達20年、投入高達400億美元的研發與資本支出，認為中國曝光機廠商在短期內趕上西方先進技術的可能性較小，這也成為中國實現高端晶片自主化願景的巨大障礙。