SK海力士加碼150億美元 韓國擴廠

　SK海力士25日宣布，將於2030年前加碼投資21.6兆韓元（約150.7億美元），在韓國京畿道永仁半導體園區的首座晶圓廠增建5座無塵室，擴充先進製程產能。

　這項投資案已獲SK海力士董事會通過，將自今年3月1日至2030年12月31日期間加碼投資，金額約占公司股權的29.23％，顯示SK海力士對記憶體市場中長期前景與AI應用需求抱持高度信心。

　SK海力士先前在2024年7月已先投資9.4兆韓元，在永仁晶圓廠興建第一座無塵室及相關基礎建設，再加上這次加碼21.6兆韓元，永仁半導體園區首座晶圓廠累計投資金額將達31兆韓元。

　SK海力士當初相中永仁半導體園區的發展潛力，推動總規模高達600兆韓元的長期投資計畫，目標是在面積約197萬平方公尺的基地內興建4座先進製程晶圓廠，其中首座廠房已進入施工階段，後續將視市場需求與產業景氣逐步推進。

　SK海力士表示，最新追加的投資額將用於完成首座晶圓廠的主體結構，並興建第二期至第六期無塵室，最終將讓這座廠房具備2棟主體建築及6座無塵室，目的是擴張實體產能，提升對客戶需求波動的回應速度。在高效製程管理下，無塵室啟用時程將由原訂的2027年5月提前至同年2月，縮短投產等待期。

　在產品布局方面，SK海力士規劃於永仁首座晶圓廠生產次世代DRAM，包含用於AI加速器的高頻寬記憶體（HBM），並保留依市場變化調整其他產品線的彈性。

　韓國近期通過的先進產業支援法放寬工業園區容積率上限，最高可較原標準提高至1.4倍，讓無塵室與產線空間得以擴充，也是促成SK海力士加碼投資擴廠的原因之一。SK海力士也打算在原有規模上進一步導入極紫外光（EUV）微影等先進設備，提升製程能力與良率，以因應AI記憶體需求的長期成長趨勢。