世界、台積電 簽署GaN授權

　成熟製程晶圓代工廠加速切入功率半導體新賽道。世界先進28日宣布，已與台積電簽署高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術授權協議。市場解讀，此舉不僅象徵世界先進正式跨入高壓GaN電源元件領域，也顯示成熟製程晶圓代工廠正加速尋求非傳統矽基製程的成長動能。

　透過此次技術授權，世界先進將把原有矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程，進一步延伸至高壓應用，同時結合既有的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）平台，建構完整的氮化鎵製程組合。業界指出，在全球晶圓代工體系中，能同時提供矽基底功率及新基底功率，兩種不同基板GaN製程平台的廠商並不多見，此舉有助世界先進在功率元件代工市場建立差異化定位。

　隨著資料中心、車用電子、工業控制與能源管理等應用對高效率電能轉換需求快速提升，傳統矽基功率元件逐漸面臨效能與能耗瓶頸。相較之下，氮化鎵具備高功率密度、低損耗與元件小型化等優勢，已被視為新一代電源技術的重要材料。法人認為，GaN技術正從消費性快充逐步走向資料中心與車用等高可靠度應用，市場規模具長線成長潛力。

■目標2028上半年量產

　世界先進表示，公司正積極建構涵蓋15V至1200V的氮化鎵製程技術藍圖，藉此提供客戶更具彈性的電源元件選項。此次導入的授權技術，將與既有製程平台無縫整合，並規畫於公司成熟的8吋晶圓生產線上進行驗證，以確保製程穩定度與量產良率。相關開發作業預計於2026年初啟動，目標於2028年上半年進入量產階段。

　產業界指出，8吋產線具備折舊負擔相對低、成本結構穩定等特性，若能成功導入GaN製程，將有助成熟製程晶圓廠跳脫傳統電源管理IC的價格競爭，切入附加價值較高的功率元件市場。對世界先進而言，此次與台積電的技術合作，也被視為其化合物半導體策略的重要里程碑。

　法人分析，隨著AI資料中心電力需求攀升、車用電子電壓等級不斷提高，高壓GaN元件的應用場景正快速擴大。世界先進若能順利在8吋平台上建立穩定量產能力，未來有望在高效率電能轉換領域取得一席之地，並為成熟製程業務注入新的成長動能。