台光電砸近28億購地 衝刺高階CCL

　銅箔基板（CCL）龍頭廠台光電（2383）公告，董事會通過取得桃園市觀音區工業區段三小段土地與建物，總交易金額27.8億元，將作為未來生產營運使用。台光電指出，此次購地屬新增擴產計畫，產能規劃待下次董事會核定。

　台光電此次取得土地面積約35,981平方公尺（約10,884坪），建物面積約33,669平方公尺（約10,185坪），交易對象為遠東新，遠東新預計可認列處分利益約18.8億元。

台光電購置不動產目的為「供生產營運使用」，法人解讀，此與公司近年積極擴充高階CCL、尤其是AI與高速通訊用材料產能高度相關。

　隨著AI伺服器、800G／1.6T交換器與雲端ASIC快速放量，高階板材需求持續升溫，CCL規格亦從M7、M8進一步推升至M9等級，帶動材料用量與單價同步提升。

法人指出，台光電營收結構已經從過去以手持裝置為主，成功轉型至以基礎建設應用為核心，包括AI伺服器、交換器與低軌衛星等，目前已經成為同時具備無鹵材料＋HDI產能的CCL龍頭廠。

為因應AI專案時程，台光電已啟動新一輪大規模擴產計畫，預計2026年第一季提升至585萬張／月，開始完整貢獻營收，2026年底總產能將達750萬張／月，2027年底進一步升至810萬張／月。

高階材料布局方面，法人指出，自2026年起材料M8以上採用率將明顯提高，GPU與ASIC規格將由M7拉升至M8甚至M9，有利台光電產品組合與ASP持續改善。

市場亦普遍看好，NVIDIA次世代Rubin（VR200）平台與NVL144 CPX架構中，高層數PCB將大量導入M9材料，包括midplane、HGX UBB、Switch tray與高階網卡等關鍵板件，台光電目前為唯一具M9量產能力的供應商，具備先行者與規模優勢。