三星DRAM核心技術 遭長鑫存儲竊取

　此前台積電2奈米機密技術驚爆外洩，牽動中日產業競爭格局。最新再傳韓國大廠三星電子也現內鬼，10奈米級動態內存（DRAM）核心技術遭前員工透過內部共享行動指南和暗號，涉嫌洩漏給中國長鑫存儲研發團隊，共十人遭韓國檢方起訴。

　韓聯社報導，首爾中央地方檢察廳資訊科技犯罪偵查部通報，以涉嫌違反「防止不正當競爭及商業秘密保護法」、「產業技術保護法」對五名三星前員工提起逮捕起訴，並以相同罪名對長鑫存儲研發團隊五名員工提起不逮捕起訴。

　韓媒東亞日報引述檢方調查發現，三星電子前部長金某等人被指控自2016年起，非法獲取三星電子全球首創的18奈米DRAM技術，並洩漏給長鑫存儲。該技術為三星電子耗時五年、投入1.6兆韓元的技術突破。期間，由三星電子前研究員親自手抄數百道工序資訊進行洩漏，而長鑫存儲基於該資料，在2023年成功實現中國首款10奈米級DRAM量產，並成全球第四家掌握此技術的企業。

　檢方統計，該技術外洩事件導致韓國核心產業技術流失，造成巨額經濟損失。據估計，2024年三星銷售額因此減少5兆韓元，若加上對韓國整體經濟的後續負面影響，總損失額上看數十兆韓元。檢方指出，他們設立空殼公司並定期更換辦公地點，共享「要時刻假設周圍有國家情報院等人員監視」的行動指南，並規定在發生禁止出境或被捕等緊急情況時，需發送暗號「♥♥♥♥」傳遞情報。

　另一大廠SK海力士技術也遭外洩，由長鑫存儲員工於2020年6月通過SK海力士合作企業，非法獲取屬於國家核心技術和商業秘密的DRAM技術資訊，同樣被移送法辦。