聯電 跨入12吋矽光子製程

　聯電8日與比利時微電子研究中心（imec）簽署技術授權協議，取得iSiPP300 12吋矽光子製程技術。此一平台具備共封裝光學（Co-Packaged Optics，CPO）相容性，被視為推動次世代高速運算與資料中心升級的關鍵技術。法人指出，聯電此次正式跨入12吋矽光子領域，象徵公司在特殊製程與先進封裝生態鏈的布局更具戰略深度，有望在2026～2027年形成新的成長曲線。

　隨著AI運算量爆炸式增長，資料中心面臨頻寬與能耗壓力，傳統銅互連已無法支撐高速資料傳輸需求。矽光子技術以光取代銅進行資料傳輸，可大幅降低延遲、提升頻寬並改善能源效率，因此成為全球雲端與高效能運算（HPC）業者積極投入的下一代互連技術。市場也普遍預期，CPO與光學I/O將是未來AI伺服器架構升級的核心。

　此次授權合作讓聯電取得imec經多年驗證的12吋矽光子製程平台技術，再加上聯電自有的SOI（Silicon-On-Insulator）製程實力與過去8吋矽光子量產經驗，將推動公司直接切入光子晶片（Photonic IC, PIC）供應鏈。聯電規劃以此平台為基礎，提供資料中心光收發器等高速光互連應用所需的關鍵元件，並進一步結合先進封裝技術，布局CPO與光學I/O相關市場。

　聯電資深副總經理洪圭鈞表示，取得imec最先進的矽光子製程技術授權，這將加速聯電12吋矽光子平台的發展進程。聯電正與多家新客戶合作，預計在此平台上提供用於光收發器的光子晶片，並於2026及2027年展開風險試產。此外，結合多元的先進封裝技術，聯電在未來系統架構將朝共封裝光學與光學I/O等更高整合度的方向邁進，為資料中心內部及跨資料中心提供高頻寬、低能耗且高度可擴展的光互連應用解決方案。