美日擬公私合營 在美建NAND廠

　《日刊工業新聞》報導，日本與美國正考慮透過公私合營模式，在美國建設一座NAND Flash記憶體工廠。據了解，日本晶片製造商鎧俠（Kioxia）與美國同業SanDisk可能是主要投資者。

　今年以來AI晶片需求旺盛，造成全球記憶體晶片缺貨問題日益嚴重，美日雙方決定在此刻攜手合作格外引人注目，但《日刊工業新聞》指出，這項計畫可能面臨諸多挑戰，包括美日雙方在資本支出方面意見分歧，以及來自中國日益增加的監管風險。

　自從AI市場起飛後，各大記憶體製造商紛紛將資金投入高頻寬記憶體（HBM）擴產，相對縮減DRAM及NAND Flash兩大記憶體產量，造成價格節節上漲。

　TrendForce 11月報告指出，過去幾個月來NAND Flash製造商正以固定節奏「輪流」調漲價格，預估明年第一季NAND Flash價格將締造雙位數百分比的季增幅。

　DRAMeXchange資料顯示，用於記憶卡與USB的NAND Flash記憶體以MLC 128Gb規格為例，固定交易價格在10月月增15％至4.35美元，是2015年以來最大漲幅。若與今年1月固定交易價格2.18美元相比，價格已經翻倍。

　一位科技業消息人士表示：「正如HBM需求暴增帶動DRAM市場升溫一樣，NAND Flash記憶體市場也因高容量、超高速的企業級SSD推動而快速升溫。」

　外媒近日也報導SanDisk在11月將NAND Flash合約價一口氣調漲多達50％，促使創見（Transcend）、宜鼎（Innodisk）及宇瞻（Apacer）等模組廠商暫停報價與出貨，以重新評估市場情勢。

　上述三家業者皆指出，晶圓廠正集中產能生產高毛利記憶體產品，如DDR5與HBM（高頻寬記憶體），以供應AI伺服器與高效能運算設備，相對造成舊款DDR4產品與一般NAND模組產量受限，導致工業與企業級系統零組件供不應求，進一步推升整體價格。