清洗精度成良率關鍵 躍先進製程新戰場

　衝刺2奈米製程，各大晶圓廠最大挑戰不是EUV，而是「清洗」。法人指出，一顆奈米微粒就可能報廢整片晶圓，清洗精度已成台積電、三星、英特爾的新瓶頸。

　過去清洗設備主要用於去除晶圓表面微粒與雜質，確保後段蝕刻、鍍膜、離子佈植等製程的穩定性。然而，隨著線寬進入3奈米以下，任何奈米級顆粒、金屬離子殘留、化學反應副產物，都可能導致晶片電性異常或報廢。未來的清洗不僅要去除微粒，還要具備奈米顆粒去除、金屬離子控制、化學殘留消除，以及CMP（化學機械研磨）後殘渣清洗等多重功能，才能滿足先進製程對品質與穩定性的極致要求。

　應用場景也從傳統晶圓製程的前後段擴展到更廣泛的領域。除蝕刻後、鍍膜前的基礎清洗流程外，清洗技術已開始滲透到先進封裝、CoWoS堆疊製程、晶片間互連（Interposer）製作過程，甚至連後段的測試治具與探針卡清洗都成為市場新需求，也成為「良率維護的核心技術」。

　法人觀點指出，清洗技術的精度與良率幾乎呈現線性關係。先進製程愈複雜、步驟愈多，清洗環節就愈成關鍵。法人分析，未來先進製程節點中，清洗設備的投資占比將逐年攀升，有機會與蝕刻、鍍膜、量測並列為四大關鍵設備之一。

　法人預期，隨著2奈米以下技術與3D封裝世代全面啟動，清洗設備將不再只是輔助工具，而是影響整體製程節奏與良率表現的「新戰場」。