長江存儲 武漢蓋第三廠 預計2027年投產

　全球人工智慧（AI）基礎建設掀起新一波投資熱潮，中國大陸積極推動記憶體晶片自主化產業布局。除了DRAM與高頻寬記憶體（HBM）等AI關鍵元件之外，大陸記憶體大廠長江存儲宣布在武漢啟動第三座晶圓廠建設計畫，預定在2027年投產，顯示中國大陸正全力押注AI資料中心需求大爆發。

　外媒報導，消息人士透露，長江存儲正考慮進軍DRAM市場。DRAM是HBM的核心組成部分，後者已成為AI伺服器與資料中心運算的重要關鍵。消息指出，長江存儲的新工廠將進一步強化其在NAND快閃記憶體領域的產能與技術能量，並同步評估切入DRAM與HBM的可行性，藉此擴展AI高階應用市場。

　目前，全球NAND快閃記憶體市場長期由三星電子、鎧俠、SK海力士、美光科技及美國固態儲存公司Solidigm等少數巨頭壟斷。長江存儲遭美國列入「實體清單」後，短短三年內即成功突破供應鏈封鎖，逆勢擴產。

　研究機構Omdia預測，隨著第三座工廠投產，長江存儲明年以產能計的全球市占率可望達到10％，更有望在2027年超越美光，躋身全球第四大NAND製造商。

　業界指出，長江存儲此舉不僅是擴張產能，更是大陸半導體產業在地緣政治壓力下的戰略性反攻。自2022年起，該公司積極推動國產設備替代方案，與中微公司（AMEC）等設備商合作開發刻蝕機與薄膜沉積設備，使其得以延續128層與232層NAND技術量產進程，並預計在2026年前推出新世代產品。

　美國對HBM等先進記憶體產品的出口限制，促使北京加速國產替代。若長江存儲成功切入HBM市場，不僅能填補大陸在該領域的空白，也可能改變全球供應鏈結構。