華邦電出運 Q3、前三季轉盈

　華邦電（2344）5日舉行法說會，繳出單季及前三季轉虧為盈的成績單，總經理陳沛銘表示，隨AI滲透與車用、工控需求擴大，記憶體產業已進入上行循環，DDR3與DDR4合約價漲勢可望延續至2026年。

　華邦電單季合併營收為217.71億元，季增3.6％、年增2.1％。毛利率大幅提升至46.7％，營業利益達37億元、營業利益率17％，歸屬母公司稅後純益29.43億元，每股稅後純益（EPS）0.65元，累計前三季EPS達0.12元。

　值得注意的是，華邦電第三季毛利101.66億元，季增113.4％、年增62.7％，主要受產品組合優化與製程效率提升帶動。

　雖平均匯率29.78元兌1美元，但本業動能強勁，致營收與獲利同步成長。

　在記憶體部門（CMS＋Flash）毛利率升至50.8％，較上季的12.1％顯著改善；邏輯IC事業（新唐）則穩定維持35～40％區間。

　華邦電第三季CMS（DRAM）營收季增18％、年增33％，創近三年新高，其中20奈米製程比重達37％，DDR4系列銷售翻倍成長。

　陳沛銘預期，第四季DRAM出貨與產品平均單價（ASP）將同步上揚，並透露高雄廠量產穩定、16奈米製程推進順利，2026年將全面量產8Gb DDR4／LPDDR4產品。

　Flash產品營收季增4.2％、年減5.8％，主要受後段測試瓶頸影響。華邦電正加速推進45奈米（F45）製程，高容量NOR Flash與SLC NAND滲透率持續提升，SLC NAND出貨年增逾兩成，穩居全球NOR Flash龍頭。

　應用方面，車用與工業應用營收季增14％，消費電子季增16％，電腦（含伺服器）季增6％。

　華邦電全年資本支出估73億元，2026至2027年將逾400億元，聚焦Flash與CMS產能建置。陳沛銘強調，供給吃緊與AI應用擴散，華邦電營運將延續成長動能。