三星HBM3E晶片 傳降價30%搶市

　根據韓國媒體報導，為了在AI世代中爭奪高頻寬記憶體（HBM）市場，三星電子祭出激進降價策略，將其12層HBM3E堆疊的價格下調了高達30％，試圖在與SK海力士以及美光（Micron）的競爭中取勝。

　三星之所以減價搶市，在於旗下12層HBM3E產品認證延誤。競爭對手SK海力士2024年下半年就已經量產搶市，並與輝達、超微（AMD）等大客戶簽訂合約，提前確保2026的生產配額。

　另一強勁對手，美光也於2025年初通過認證，並鎖定了主要客戶2026年訂單。

　反觀三星一直到2025年第四季才通過輝達認證，成為輝達認可的第3家HBM3E供應商，雖然每季出貨能達數萬片，但是一來一往之間，已經落後SK海力士、美光6到12個月。

　此外有媒體指出，三星產品中長期存在的過熱問題尚未完全解決，其運行溫度仍然高於競爭對手產品，如何與液冷AI伺服器整合，是三星仍待解決的問題。

　有鑑於市占大幅落後，三星計畫2026年要上市的下一世代HBM4產品，預計也將採取價低搶市占的策略，初期報價估比SK海力士低6至8％。

　不過SK海力士在9月便已經宣布完成HBM4量產準備，只要主要客戶點頭，隨時可以出貨；美光則宣布已經開始出貨12層HBM4樣品，更強調與台積電合作的客制化能力，允許客戶基於基礎邏輯晶片優化設計，滿足低延遲、高數據傳輸需求。

　三星雖然想以低價策略前進，但其HBM4的認證結果須等到11月才能揭曉，同時為了追求良率，跳過1b節點，直接轉向1c製程來開發其HBM4產品，也引發外界對良率穩定性的疑慮。

　目前記憶體三雄搶占HBM市場策略已見輪廓，SK海力士有「量」，美光有「差異化」，三星能否靠「價」翻轉版圖，有待後續觀察。

　此外，在DRAM缺貨，三星、SK海力士都喊漲3成以上的情況下，有分析師就指出，2026年非HBM產品獲利可能更勝HBM產品，也顯示HBM價格戰波及傳統記憶體可能性不大。