12吋碳化矽基板 可望納先進封裝

　隨人工智慧（AI）晶片製程不斷演進，高功耗運算帶來散熱挑戰成為效能瓶頸。半導體供應鏈近期熱議，12吋碳化矽（SiC）基板有望被納入先進封裝考量，藉此改善散熱與結構支撐。

　法人分析，SiC基板若能取代傳統氧化鋁，在2.5D／3D IC、HBM、CoWoS、Fan-out等先進封裝中，可有效分散熱源，降低熱阻並提升散熱效率。

　由於SiC莫氏硬度大於9，機械強度高，能支撐更薄、更大尺寸的封裝結構，對應12吋基板尤具優勢。

　不過，技術挑戰仍包括高精度切割與雷射加工成本，以及與矽、銅等材料接合的可靠性問題。

　值得注意的是，先進封裝應用中的SiC僅作為基板或散熱材料，並不需要磊晶層，其角色在於導熱與結構支撐，與功率半導體所需的高品質磊晶不同。

　因此，法人評估，台灣主要SiC磊晶廠商如漢磊（3707）、嘉晶（3016）不會直接受惠此一趨勢。

　法人認為，潛在受惠者將集中在材料供應商與封裝廠，包括具備大尺寸SiC基板量產與加工能力的日本廠商（如羅姆、昭和電工、住友化學），以及台灣封裝設計與導熱材料業者。

　法人認為，嘉晶受惠台積電退出GaN業務後的潛在訂單釋出，公司規劃「4＋1」廠區，一廠可配置SiC磊晶設備約12台、GaN約2至3台，並配合量測與檢測產線，產能供應充足。

　漢磊雖具備GaN與SiC代工能力，但因大陸消費性電子需求未回溫、功率元件競爭激烈，法人持中立看法不變。

　整體而言，12吋SiC基板在先進封裝領域的導入，將主要帶動材料與封裝設計革新，而非磊晶製程產業鏈受惠，因此，對台廠相關廠商影響有限。