中芯5奈米良率飆上70%? 專家：假消息

近年美國持續打壓中國晶片製造，而中國力求能實現自立自強。近日大陸社群平台微博有文章指出，大陸晶圓代工龍頭中芯國際5奈米的良率已經衝到60％～70％之間，暗示大陸晶圓代工技術進入新階段，但遭專家直指是「假消息」。

　據美國科技媒體Wccftech報導，微博帳號「定焦數碼」（Fixed Focus Digital）發文提到上述良率，稱該良率水準與三星3奈米的環繞式閘極（GAA）製程相同。

　該說法引發市場高度關注。報導引述關注半導體產業動態、撰寫個人電子報的X帳號@Jukanlosreve指出，中國消息人士對他說，「定焦數碼」捏造此傳言。目前市面上也未看到實際使用中芯5奈米的產品。

　@Jukanlosreve之前表示，中芯國際計畫2025年之前完成5奈米晶片開發，但由於使用較舊款的深紫外光機（DUV），而非先進的極紫外光機（EUV），因此成本預估高出50％。EUV是高效量產5奈米以下製程晶圓的必要設備，但目前美國禁止艾斯摩爾（ASML）出售該設備給中國。

值得注意的是，華為日前發表首款鴻蒙個人電腦時，大陸央視就指出，該筆電搭載的麒麟X90晶片是採用「中芯國際5奈米製程」。但加拿大半導體研究機構TechInsights的報告指出，實際上該晶片採用的是7奈米製程。

　當時就有分析認為，在缺乏EUA曝光機的情況下，華為邁向5奈米的目標遙不可及。儘管市場上已有聲音稱其5奈米商業化正在進行中，但市場仍對今年是否能見證實際產品上市感到懷疑。