三星HBM3E 拚H2出貨博通

　三星電子AI布局獲突破，除近日完成與晶片設計大廠博通（Broadcom），針對12層高頻寬記憶體（HBM3E）產品的品質測試外，第六代高頻寬記憶體HBM4量產計畫，也在技術更新下邁進一大步。

　根據外電報導，三星與博通雙方正積極協商量產與供應計畫，預計總供應量達10億Gb，最快將於今年下半年開始出貨，並延續至2026年。

　儘管該批訂單在整體高頻寬記憶體（HBM）市場中占比有限，但對正積極強化HBM市占的三星而言，具有關鍵戰略意義。

　三星今年訂下目標，力拚將HBM供應量提升至去年的2倍，達80至90億Gb，藉此強化在AI半導體供應鏈中的關鍵地位。

　根據外電報導，三星此次與博通合作的HBM3E產品，將導入下一代AI加速晶片中。博通目前代工開發Google第七代TPU「Ironwood」，以及Meta自研的AI晶片「MTIA v3」，均被視為AI ASIC市場中的戰略產品。

　此外，三星也積極推進向亞馬遜AWS供應HBM3E 12層晶片，並已經在平澤園區展開現場稽核程序。AWS預計將於2026年量產搭載該產品的AI晶片「Trainium 3」。

　三星原本預定於2024年中對輝達（NVIDIA）交付HBM3E 12層產品，但因初期性能與穩定性不符預期，導致量產進度延後。

　三星雖已透過導入第四代10奈米級DRAM核心die重新設計產品，但相關交付計畫已確認延至2025年9月後。

　三星在下半年除繼續爭取順利出貨給NVIDIA外，也擴大AI ASIC業者如Google、Meta、AWS等客戶群，以消除HBM業務的不確定性，重奪市場主導權。

　在下一代HBM4開發上，三星成功開發出採用10奈米級製程的第六代1c DRAM，並且進入量產前的最後階段，距離2025年下半年量產HBM4的目標，再向前邁進一步。

　據韓媒引述業界消息，三星日前已完成1c DRAM開發，並通過內部量產準備批准（Production Readiness Approval；PRA）。PRA代表產品已符合內部標準，進入量產前的最後階段。隨著三星完成1c DRAM開發，也開始與多家客戶洽談客製化HBM4的供應，業界預測，HBM4自2026年開始對三星營收帶來貢獻。