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20250529李娟萍/台北報導

南亞科新董座 鄒明仁接任

吳嘉昭繼南電後,再次交棒職務;看好DRAM下半年價量齊揚,Q4有望轉盈

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 ●南亞科董事長吳嘉昭董事會後卸任交棒。圖/李娟萍
南亞科舉行股東會。圖/李娟萍
南亞科總經理李培瑛。圖/李娟萍

 南亞科(2408)於28日召開股東會,完成董事改選,會後董事會推選新任董事長,吳嘉昭繼南電(8046)之後,再次將董事長職務,交棒給現任南亞總經理鄒明仁,宣告南亞集團內部交接,向前邁進一步。股東會亦通過私募不超過4億股案,資金將用於先進記憶體製造、研發與策略聯盟,藉此加速切入AI應用所需的邏輯控制晶片(base die)領域,為未來高頻寬記憶體(HBM)產品整合能力鋪路。

 吳嘉昭指出,全球記憶體大廠陸續退出DDR3與DDR4、轉向高頻寬記憶體(HBM),南亞科迎來市場新機會,加上關稅緩衝期提前備貨需求浮現,整體DRAM市況已有顯著改善。他預估,第三季可望清除所有庫存,加上1B製程良率持續提升、產品組合優化,有望在下半年迎來價量齊揚,力拚第四季轉虧為盈。

 南亞科總經理李培瑛則表示,雲端與邊緣AI對記憶體需求大增,近期非AI應用市場(伺服器、PC、智慧型手機與網通)也逐步回溫,部分消費性產品在區域刺激政策推動下需求升溫。他指出,DDR4需求成為南亞科短期營運亮點,受惠三大原廠退出,南亞科成功承接新訂單,備妥8GB、16GB、32GB等多項DDR4產品規格,以填補供給缺口。李培瑛補充,AI應用需具備四大關鍵元素,分別是高密度先進DRAM(如16Gb DDR5以上)、3D矽穿孔製程(TSV)與多晶片封裝、HBM設計能力及邏輯控制晶片(base die)。

 南亞科2024年底已量產第二代16Gb DDR5,完成第一階段部署,並與福懋科技、補丁科技合作推進TSV與封裝技術,建構第二與第三項關鍵能力。未來將以策略性投資與合作,建構邏輯控制IC與HBM整合能力,目標2026年底完成驗證,2027年起貢獻營收。

 李培瑛強調,南亞科目前產能滿載,隨著出貨量回升、產品組合優化,加上價格改善,轉盈機會日增。不過,他坦言,新台幣升值可能成為最大變數。由於公司以美元計價,匯損恐侵蝕毛利,即便部分資本支出亦以美元結算,整體仍難完全抵銷匯率衝擊。