陸自研AI ASIC崛起 HBM取得是發展關鍵

　美中半導體熱戰升溫，陸系業者積極發展自研AI ASIC，中芯國際目前最新N+3製程，號稱電晶體密度已能與台積電6奈米製程相當。不過，半導體業者透露，由於仍缺乏EUV設備，影響生產良率及效率，此外，HBM（高頻寬記憶體）的取得也是瓶頸。

　近期台灣ASIC業者智原被點名助華為取得HBM，公司發重訊駁斥，供應鏈分析，以HBM鍵合方式，拆板後重複使用可行性低。

　智原指出，針對網路社群影射公司配合客戶運作，解焊HBM出貨為不實謠言，重申公司一切營運皆配合法遵。ASIC業者透露，智原有採用矽品CoWoS-S為客戶先進封裝，然是以12奈米之製程，且封測業者在HBM鍵合製程採用標準流程，相較DDR以SMT（表面黏著技術）打件封裝有很大差異。

　另外，HBM拆板之後是否還能重複使用，尤其對高速傳輸要求高的AI晶片，可行性有待商榷。不過這進一步凸顯出中國大陸無所不用其極克 復刻種瓶頸，在邏輯晶片製程及HBM取得上，是必須克服的難關；據悉，儘管陸廠長鑫存儲DDR5已成功量產，但仍缺乏HBM製造能力。

　相關晶圓代工業者透露，中芯最新的N+3製程，電晶體密度宣稱與台積電6奈米相當，不過還是採用DUV設備進行多重曝光，推測良率及生產效率皆不佳、導致成本無法與美系AI晶片匹敵。

　由於美國出口管制趨嚴，中國CSP業者想買也買不到，只能選擇華為自研晶片昇騰910C，而根據DeepSeek研究人員測試結果表示，推理任務中昇騰910C性能可達H100的60％；換言之能透過AI模型演算法的突破，降低對硬體算力之依賴。

　外界推測，未來輝達將會與DeepSeek共同研發設計新的晶片，研發團隊可能就在中國，並與當地業者的大模型運算框架做深度融合，打造專屬中國的生態系，而原訂在台灣的輝達海外總部計畫是否生變，就有待觀察。