2奈米激戰 英特爾18A進入風險試產

　英特爾於2025願景大會上拋出震撼彈，宣布18A製程節點正式進入「風險試產」（Risk Production）階段，此舉不僅為該公司「四年五節點」（5N4Y）計畫立下關鍵里程碑，更象徵英特爾重奪製程領先地位的野心，邁入實質發展階段。值得關注的是，此為新任執行長陳立武接棒後首度公開亮相，業界解讀此舉在向台積電、三星等競爭對手展示技術肌肉。

　Intel 18A製程將成為首款同時採用PowerVia背面供電和RibbonFET閘極環繞（GAA）電晶體技術；相對競爭對手，台積電則會在今年下半年2奈米使用Nanosheet電晶體技術、2026年下半年導入「超級電軌」（Super Power Rail）。半導體業者透露，若Intel 18A推進順利，將會比台積電2奈米更早導入晶背供電技術。

　惟業者認為，目前尚不清楚18A風險試產，是針對其自家的Panther Lake處理器或外部代工客戶，然對照英特爾產品線時程，Panther Lake將於今年下半年投入量產，該晶片很可能就是試產的對象。至於三星部分，由於是最早導入GAAFET電晶體技術，但良率始終未達量產水準；目前則主要關注三星自家Exynos 2600晶片，是否會在5月投入生產。不過，三星預計2027年才會在SF2Z加上背面供電技術，推進上又較競爭對手相對緩慢。

　在三大業者往2奈米前進之際，日本Rapidus也不容小覷，據悉其北海道千歲市的2奈米晶圓廠、試產產線計畫將在本月啟用，瞄準2027年開始量產。晶片業者樂見有更多供應商加入戰局，主因2奈米生產成本真的是居高不下，單片晶圓（Wafer）超過3萬元美元，前期投入就是耗費鉅資的開始。