SK海力士日前宣布,正在開發HBM3e 16hi產品,每顆cube的容量為48GB,預計於2025年上半年送樣客戶。
TrendForce研究指出,這項新產品潛在應用,包括CSP自行研發的ASIC和一般用途(general purpose)GPU,有望在HBM4世代量產前,提早於HBM3e世代推升位元容量上限。
TrendForce表示,HBM供應商以往在各世代皆推出兩種不同堆疊層數的產品,如HBM3e世代原先設計8hi及12hi,HBM4世代規劃12hi及16hi。
在各業者已預定於2025年下半以後陸續投入HBM4 12hi的情況下,SK海力士選擇在HBM3e追加推出16hi產品,主要原因是台積電CoWoS-L可提供的封裝尺寸,將於2026和2027年間擴大,每SiP(系統級封裝)可搭載的HBM顆數也增加,但後續升級,仍面臨技術挑戰和不確定性。
在生產難度更高的HBM4 16hi量產前,可先提供客戶HBM3e 16hi作為大位元容量產品的選擇。
以每SiP搭載8顆HBM顆數計算,HBM3e 16hi可將位元容量上限推進至384GB,較NVIDIA Rubin的288GB更大。
從HBM3e進展到HBM4世代,IO數翻倍帶動運算頻寬提高,此升級造成晶粒尺寸放大,但單顆晶粒容量維持在24GB。
在HBM3e 12hi升級至HBM4 12hi的過程中,HBM3e 16hi可作為提供低IO數、小晶粒尺寸和大位元容量的選項。
TrendForce表示,SK海力士的HBM3e 16hi,將採用Advanced MR-MUF堆疊製程,和TC-NCF製程相比,使用MR-MUF的產品,更容易達到高堆疊層數及高運算頻寬。
在HBM4及HBM4e世代,皆預計設計16hi產品的情況下,SK海力士率先量產HBM3e 16hi,將能及早累積此堆疊層數的量產經驗,以加速後續HBM4 16hi的量產時程。SK海力士亦不排除再推出hybrid bonding製程版本的16hi產品,以拓展運算頻寬更高的應用客群。