先進製程A14推演…台積導入High-NA EUV幾成定局

　台積電、imec等尖端研究團隊持續挑戰，以追求相同晶片面積高頻寬、低功耗之最佳解方突破。imec更擘劃埃米世代藍圖，2040年有望突破A1極限，並透露A14開始將必須採用High-NA EUV(高數值孔徑EUV)，業者解讀，這意謂著台積電導入只是時間早晚問題

　imec總裁暨執行長Luc Van den hove強調，將與合作夥伴共同面對技術挑戰。imec最新技術藍圖顯示，2027年將進到A14節點，屆時為達到21奈米的Metal pitch(金屬層間距)，將需要導入0.55NA EUV即為高數值孔徑極紫外光設備(High-NA EUV)。

　這意謂著台積電導入只是時間早晚問題。台積電指出，每當有新結構和新工具，如High-NA EUV，都會仔細檢視成熟度、成本和時程表、以及如何實現；台積電總是在正確時刻，做出正確決定，服務客戶。

　台積電研究發展副總經理曹敏分析，從場效電晶體(FET)取得PPA(效能、功耗、面積)成長效果遞減，為延續高成長，台積電不排除新興材料的發展。看好人工智慧帶來的巨大發展浪潮，曹敏表示，AI模型複雜性或算力，都將呈現指數級增長。

　曹敏指出，汽車領域將很快採用3、5奈米晶片，台積電將能提供支援，完成自動駕駛L2到L5的最後一哩路，預估2030年半導體市場將達1兆美元規模。