SK海力士HBM4 10月投片

　韓國SK海力士第六代高頻寬記憶體（HBM）-HBM4，即將設計完成，預計在10月投片，2025年下半年量產。該公司計畫，供貨輝達（Nvidia）AI晶片的HBM4，以及超微（AMD）AI晶片的HBM4。

　SK海力士新一代HBM4記憶體，將在2025年下半年開始量產，這使得10月份的投片，成為該記憶體晶片的最後準備階段，顯示晶片設計基本已完成，開始試產，待完成最後驗證，以進行量產。

　目前SK海力士是輝達AI晶片的重要HBM記憶體供應商，而且在幾個月前，也已經率先提供HBM3E記憶體。

　HBM4記憶體則是下一個重要的技術節點，可提供更快的傳輸速度，因應更強大性能和能耗的市場需求。

　根據相關報導表示，就HBM4與HBM3E相較，位元寬度直接翻倍，從1024位元提升至2048位元，提升了數據傳輸寬，這對新一代AI晶片來說非常重要。

　另外，HBM4堆疊16個DRAM，而HBM3E則為12個，在支援24Gb和32Gb的顆粒情況下，讓HBM4單顆晶片堆疊容量達到64GB，而HBM3E只有32GB。

　SK海力士承諾，未來將提供較現有HBM高20到30倍性能的產品，此舉將加大市場競爭程度，因為三星也計畫在下一季推出HBM4記憶體。

　雖然，三星未像SK海力士迅速通過HBM3E記憶體的品質驗證，但在新一代的HBM4記憶體的競爭上，三星將是SK海力士的重要競爭對手。三星具有量產能力，輝達和AMD期待能藉由三星的供應，降低供不應求的風險，因應市場的需求。

　根據TrendForce最新HBM報告，隨著AI晶片迭代，單一晶片搭載的HBM容量，也明顯增加。輝達目前是HBM市場最大買家，預期2025年推出Blackwell Ultra、B200A等產品後，其在HBM市場的採購比重，將突破70％。