美光18日宣布,該公司多重存取雙列直插式記憶體模組(MRDIMM)開始送樣,針對記憶體需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用,其效能更勝目前的矽晶穿孔型(TSV)RDIMM。
美光第一代MRDIMM,與IntelR XeonR 6處理器相容。美光MRDIMM現已上市,將於2024年下半年開始大量出貨。
美光指出,開始送樣的記憶體是美光MRDIMM系列的第一代產品,實現最高頻寬、最大容量、最低延遲,以及更高的每瓦效能,加速記憶體密集型如虛擬化多租戶、HPC和AI資料中心等的工作負載。
美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示,美光最新推出的創新主記憶體解決方案MRDIMM,以更低的延遲提供業界迫切需要的高頻寬與大容量,有助在下一代伺服器平台上實現大規模AI推論和高效能運算(HPC)應用。
MRDIMM顯著降低每項任務的功耗,同時延續了與RDIMM相同的可靠性、可用性和可維護性功能與介面,為客戶提供靈活擴充效能的解決方案。
由於美光與業界緊密合作,因此,新產品不僅能夠無縫整合到現有伺服器基礎架構中,更可順暢銜接未來運算平台。
MRDIMM技術採用DDR5的物理與電氣標準,帶來更先進的記憶體,每核心的頻寬與容量雙雙提升,為未來運算系統做好準備,更滿足資料中心工作負載日益成長的需求。