美國對陸AI戰 升至GAA製程

　美國政府為防止中國大陸在人工智慧（AI）領域取得突破，再度擴大晶片管制範圍，最新目標包括環繞式閘極（GAA）電晶體架構，以及高頻寬記憶體（HBM）等新興技術。

　綜合外媒12日報導，GAA電晶體技術可進一步提升電晶體密度，同時還提供功率和性能優勢，但該技術僅用在最尖端的製程工藝，包括輝達（NVIDIA）、英特爾（Intel）和超微（AMD）在內的多家企業，及其製造夥伴台積電、三星電子，都力求在明年開始量產採用GAA技術生產晶片。

　譬如三星在其3nm製成上運用這項技術，英特爾將在其Intel 20A工藝中採用GAA，台積電則計畫在2nm製程上採用GAA技術。

　消息透露，美國政府討論中的最新管制措施鎖定GAA電晶體架構，目標是拉高對中國組裝精密運算系統、以打造並操作AI模型的難度，並搶先阻斷這項新興技術商業化，防止中國獲取。

　目前尚不清楚美國的新禁令是否限制中國自行開發GAA晶片的能力，抑或進一步禁止企業（尤其是美商）將產品賣給中國科技廠商。消息人士預料，美方新措施不會直接禁止GAA晶片出口，重點是鎖定打造這些晶片的新技術。美國政府內部也在初步討論HBM的出口限制。

　報導指出，先前美日歐聯手對中國祭出晶片出口禁令，限制中國獲得16／14nm以下先進製程所需的半導體製造設備。儘管如此，中國仍有其他方法可以規避這些限制，並提高其現有製程的性能。此前資料顯示，中國已具備7nm製程的量產能力，並有可能在無需EUV曝光機的情況下實現5nm製程的量產。

　業界表示，中國晶圓製造商可能會將GAA電晶體技術移植到其現有的7nm製程上，雖這不能產生3nm GAA及以下工藝技術的全部效益，但可望在功率和性能方面有所提升。華為雲服務首席執行官張平安最近表示，中國不會在短期內獲得3.5nm或以下的製造設備，應努力更好的利用其現有的7nm製程工藝。

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