聯電 星Fab 12i新廠上機

　晶圓代工廠聯電21日在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批機台設備到廠。聯電預計，該廠建物將於今年中完成，配合客戶訂單調整，量產時間將延後半年至2026年初，預期投產後將是聯電全球化布局重要一環。

　聯電21日新加坡Fab 12i廠首批機台設備到廠，象徵該公司擴產計劃建立新廠的重要里程碑，此次設備到廠典禮由新加坡經濟發展局（EDB）、新加坡裕廊集團（JTC）、微電子研究院（IME）、相關建廠合作夥伴以及關鍵設備和材料供應商代表出席。

　聯電於2022年2月宣布了此第三期的擴建計畫，並設定成為新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一。聯電指出，新加坡廠建廠預計投入資金約30億～40億美元，第一階段將規劃月產能約2萬至3萬片的產能，原本預期2025年中將投產，不過，今年4月法說會時，聯電高層表示，該廠建物將於今年中完成，配合客戶訂單調整，量產時間將延後半年，至2026年初。

　聯華電子在新加坡投入12吋晶圓製造廠的營運已超過20年，新加坡Fab 12i廠也是聯電的先進特殊製程研發中心，新廠Fab 12i第三期擴建新廠是新加坡最先進的半導體晶圓代工廠之一，將提供22/28奈米製程，總投資金額為30億至40億美元。

　聯電指出，由於5G、物聯網和車用電子大趨勢的帶動，對聯電22/28奈米製程需求的前景看好，因此新廠所擴增的產能也簽訂了長期的供貨合約，以確保未來對客戶產能的供應。

　聯電表示，第三期擴建新廠生產的特殊製程技術，如嵌入式高壓解決方案、嵌入式非揮發性記憶體、RFSOI以及混合信號CMOS等，在智慧型手機、智慧家庭設備和電動車等廣泛應用上至為關鍵。

　聯電近年來持續進行產能擴建及強化特殊製程，年度資本支出呈三級跳走勢，2020～2022年資本支出從10億美元、15億美元快速拉高至27億美元，2023年更持續增加至30億美元，今年在新加坡廠加速建廠下，全年資本支出小幅攀升至33億美元。