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20240419張珈睿/台北報導

英特爾High-NA EUV 將開啟晶片發展新紀元

 英特爾18日宣布,於俄勒岡州之研發中心,完成業界首台商用高數值孔徑極紫外光刻機(High-NA EUV)組裝工作。來自設備領導廠ASML,目前正進行校準步驟,為未來的英特爾先進製程路線做好準備。英特爾強調,High-NA EUV將大幅提升晶片製造精度和微影能力,開啟晶片發展新紀元。

 擁有業界最先進、全面的光刻工具,英特爾表示,能夠於往後五年持續推進先進製程,超越Intel 18A、邁向新里程碑。延續摩爾定律,High-NA能較目前EUV微縮1.7倍、晶片密度提升2.9倍;並且提供更高的成像對比度,從而減少每次曝光所需的光量,縮短每一層的印製時間,提高晶圓產出。

 英特爾規劃於2025年的Intel 18A產品驗證中,以及Intel 14A量產中,同時使用0.33 NA EUV和High-NA EUV,以達到最佳的製程技術平衡與成本效益。英特爾更透露,已計劃購置下一代系統,產能超過每小時200片晶圓。