搭AI熱 高效能記憶體得利

　全球總經環境不明朗，使記憶體復甦步調緩慢，PC、手機、傳統伺服器較2023年年初下修，但自第二季起，因AI熱潮興起，帶動高密度、高效能產品記憶體需求，而AI伺服器的增加，也使存儲內容成長。

　韓廠SK海力士（SK hynix）預期，AI伺服器市場中長期年複合成長率將達30％，整體伺服器需求（包含一般型伺服器）將會以年複合成長率7～9％成長，將成為記憶體的成長動能。

　SK海力士指出，與AI相關的記憶體需求顯著成長，已增加高密度DDR5、LPDDR5、HBM產品，使公司出貨量優於先前展望，產品單價（ASP）也比前一季度高。根據TrendForce調查顯示，2023年HBM（High Bandwidth Memory）市場主流為HBM2e，包含輝達（NVIDIA）A100／A800、超微（AMD）MI200以及多數CSPs（雲端服務業者），自研加速晶片皆以此規格設計。

　同時，為因應AI加速器晶片需求演進，各原廠再於2024年推出新產品HBM3e，預期HBM3與HBM3e將成為明年市場主流。

　若探究HBM各世代差異，主要以速度做細分，除了市場已知的HBM2e外，在進入HBM3世代時，產業出現較為混亂的名稱。

　TrendForce表示，目前市場所稱的HBM3，實際需細分為兩種速度討論，其一，5.6～6.4Gbps的HBM3；其二，8Gbps的HBM3e，別名HBM3P、HBM3A、HBM3+、HBM3 Gen2皆屬此類。

　目前三大原廠HBM發展進度如下，兩大韓廠SK海力士、三星（Samsung）先從HBM3開發，代表產品為NVIDIA H100／H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠再預計於2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠美光（Micron）則選擇跳過HBM3，直接開發HBM3e。