3. 台積電、三星晶圓代工製程迎來革新 3nm分別採用FinFET及GAA技術

在半導體製程逐漸逼近物理極限的限制下，晶片發展須透過「電晶體架構的改變」，以及「後段封裝技術或材料突破」等方式，以持續達成提高效能、降低功耗及縮小晶片尺寸的目的。

　在2018年自7nm製程首度導入EUV微影技術後，2022年晶圓代工製程技術迎來另一大革新，亦即台積電（TSMC）及三星（Samsung）計畫於2022下半年發表的3nm製程節點。前者在3nm製程選擇延續自1Xnm以來所採用的鰭式場效電晶體架構（FinFET），三星則首先導入基於環繞閘極技術（GAA）的MBCFET架構（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor）。

　相較FinFET的三面式包覆，GAA為四面環繞閘極，源極（Source）及汲極（Drain）通道由鰭式立體版狀結構改用奈米線（Nanowire）或奈米片（Nanosheet）取代，藉以增加閘極（Gate）與通道的接觸面積，加強閘極對通道的控制能力，有效減少漏電的現象。從應用別來看，預計於2022下半年量產的3nm製程首批產品仍主要集中在對提高效能、降低功耗、縮小晶片面積等有較高要求的高效能運算和智慧型手機平台。