近年來第三類半導體,也就是所謂的寬能隙(wide bandgap)半導體,一直受到業界及市場的矚目,有鑑於第三類化合物半導體-氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)市場之重要性及發展前景,南方科技針對國內產業發展上的重要關鍵之一的材料缺陷對磊晶及元件的影響,尤其是針對從基板到磊晶在「表面以下」無法確知的缺陷,造成磊晶到元件不良原因及成本難以掌握及突破等問題,進行了深入的研究。
此外,南方科技在即將來臨的2021 OPTO台北國際光電週,協同PIDA及台灣化合物半導體及設備產學聯盟,於12月22日假台北南港展覽館500會議室,主辦「化合物半導體先進光學檢測研討會」。南方科技也將在研討會最後,發表最新開發之「表面之下-化合物半導體三維缺陷與應力非破壞性檢測技術」。
展會期間亦將同時在N513a展位發表最新開發之「傅立葉顯微鏡-五合一顯微術」在「表面之下」材料缺陷檢測之應用,以及最新開發之「MicroLED 晶圓巨量高速類EL檢測技術」。