聚焦3關鍵研究突破 英特爾：創新技術推進摩爾定律

　在不斷追尋摩爾定律的道路上，英特爾揭曉其關鍵封裝、電晶體和量子物理等根本性突破，推進和加速運算進入下個十年。於IEDM 2021會議中，英特爾論述採用混合鍵合（hybrid bonding）技術，在封裝中提升超過十倍互連密度的過程、電晶體微縮達成30～50％的面積改善、新電源和新記憶體技術的重大突破、以及未來某個時刻將徹底顛覆運算的新物理概念。

　英特爾資深院士暨元件研究經理Robert Chau表示，在英特爾心中，推進摩爾定律所需的研究和創新永不停歇。英特爾元件研究事業群於IEDM 2021分享關鍵研究突破，帶來革命性的製程和封裝技術，這是科學家和工程師勤勉不懈的工作成果，走在創新最前線繼續為延續摩爾定律而努力。

　摩爾定律已經隨著運算創新，滿足從大型電腦至行動電話每個科技世代的需求，這條演化之路隨著進入無限資料和人工智慧的新運算時代得以延續。英特爾表示，持續不斷地創新為摩爾定律的基石。英特爾的元件研究事業群致力於橫跨3個關鍵領域創新：提供更多電晶體的必要微縮技術、提升電源和記憶體的新矽功能、探索新物理概念以便革命性改變世界運算的方式。

　在IEDM 2021揭曉的突破，表示英特爾有望在2025年之後，藉由三項領域的探索，繼續推進和汲取摩爾定律優勢。一是英特爾正追尋基本微縮技術的重要研究，能夠在未來的產品之中提供更多的電晶體，包括導入Foveros Direct先進封裝計畫、採用環繞式閘極（GAA）RibbonFET架構、展示僅有數個原子厚度的新型材料能做出克服傳統矽通道限制的電晶體。

　二是英特爾為矽帶來新功能，包括在12吋晶圓達成全球首創整合以氮化鎵（GaN）為基礎的電源開關和以矽為基礎的CMOS，推進更有效率的電源技術。以及英特爾使用新型鐵電材料，低延遲讀寫能力有可能成為次世代嵌入式DRAM技術。

　三是英特爾正在追尋以矽電晶體為基礎的量子運算所帶來的強勁效能，以及與新型室溫裝置搭配運作，擁有巨量能源效率運算的全新開關。英特爾於IEDM 2021展示於室溫運作的全球首款實驗性磁電自旋軌道（magnetoelectric spin-orbit，MESO）邏輯裝置實作，顯示出基於開關奈米規模磁鐵的新型電晶體可製造性的潛力。