漢磊、嘉晶 第三代半導體大擴產

　漢民集團旗下晶圓代工廠漢磊及其轉投資嘉晶15日召開法人說明會，漢磊暨嘉晶董事長徐建華表示，今年是第三代化合物半導體應用起飛元年，將積極擴產因應強勁需求。

　其中，漢磊將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元，增加6吋碳化矽（SiC）產能達5～7倍，氮化鎵（GaN）月產能明年倍增至2,000片。嘉晶預計將投入5,000萬美元擴產，將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能計畫提高2～2.5倍。

　漢磊及嘉晶今年營運逐季轉好。漢磊受惠於功率半導體訂單滿載，第三季合併營收19.35億元創下歷史新高，毛利率回升至14.7％，歸屬母公司稅後淨利0.78億元，每股淨利0.24元。累計前三季合併營收53.02億元，平均毛利率12.2％，歸屬母公司稅後淨利0.99億元，每股淨利0.31元。

■訂單能見度 看到明年

　嘉晶受惠於矽晶圓下半年產能供不應求及調漲價格，第三季合併營收13.48億元創下歷史新高，平均毛利率提升至16.4％，歸屬母公司稅後淨利1.28億元，每股淨利0.46元。累計前三季合併營收36.98億元，毛利率達13.8％，歸屬母公司稅後淨利2.66億元，每股淨利0.95元。

　漢磊及嘉晶今年持續獲得功率半導體、SiC以及GaN等第三代半導體等晶圓代工以及基板訂單，第四季產能滿載，訂單能見度已經看到明年。

　徐建華表示，今年對漢磊或嘉晶而言，都是第三代半導體應用的起飛元年，其中，太陽光變頻器今年需求上升，未來將逐步拉高SiC採用，至於電動車亦帶動需求，期許漢磊及嘉晶的SiC及GaN新產能持續開出之後，能帶動營收及獲利持續成長。

　為了滿足客戶對SiC及GaN晶圓代工產能強勁需求，漢磊預計將在未來二～三年投資0.8～1.0億美元大擴產能，其中，6吋SiC晶圓代工產能將擴增達目前的5～7倍，GaN晶圓代工月產能明年將倍增至2,000片。漢磊SiC月產能已達1,000片6吋約當晶圓，希望客戶能簽訂長約合作。

■迎爆發性成長商機

　嘉晶也計畫在未來二～三年投資4,000～5,000萬美元擴大SiC及GaN基板產能，目標是將SiC基板產能擴增7～8倍，GaN基板產能擴增2～2.5倍，就明年而言，相關營收貢獻目標至少增加五成以上。徐建華表示，漢磊及嘉晶持續投資第三代半導體領域，進而迎接爆發性成長商機。嘉晶在基期低的基礎會擴大投資建置新產能，漢磊則以既有產能產線進行優化。