記憶體 今年會缺一整年

　記憶體市場在去年下半年已供給吃緊，今年以來缺貨持續惡化，系統廠及ODM/OEM廠不得不提高採購價格並擴大下單，以避免下半年旺季到來時，因缺DRAM或NAND Flash而影響出貨。

　近幾年記憶體廠沒有太大的擴產動作，以DRAM市場來說，三星、SK海力士、美光從2015年以來的「位元出貨」維持成長，主要是靠製程由30奈米微縮到20奈米或1x奈米來達標。但是，透過製程微縮，會導致產能自然減損，如生產30奈米DRAM且月產能達12萬片的12吋廠，若完全微縮到20奈米，單片晶圓的同容量顆粒產出雖可提高5成以上，但月產能將降至10萬片左右。

　在產能成長有限下，需求端的成長卻持續加速，主要動能來自於裝置搭載量的跳躍增加。

　以筆電來說，去年以前因受制微軟Win 10權利金的收取方式，OEM廠只願搭配4GB DRAM模組，但微軟去年底改變權利金收取規定後，廠商就從第4季起改推改搭載8GB DRAM模組的機種。

　此外，智慧型手機的Mobile DRAM搭載容量，也是跳躍式成長。在雙鏡頭、影音串流及人工智慧相關應用等規格不斷推陳出新下，單機搭載容量由去年平均的3～4GB，至今年已成長至5～6GB，部份旗艦機種更直接搭載8GB。

　在NAND Flash市場，去年下半年以來最大的產能成長瓶頸，在於上游原廠在轉換3D NAND時良率不佳。由於蓋一座月產能達6萬片以上的新NAND Flash廠，投資額超過80億美元，包括三星、東芝及威騰、SK海力士、美光及英特爾等四大陣營，都是移轉2D NAND產能來生產3D NAND。也由於2D NAND的投片量減少，3D NAND產出良率不佳，導致NAND Flash市場位元成長停滯。

　但在需求上，單機搭載容量同樣出現大躍進，如筆電去年起大量以固態硬碟（SSD）取代傳統硬碟（HDD），去年初SSD搭載主流為128GB，去年底已成長至256GB，今年以來賣最好的電競筆電更直接搭載512GB。

　智慧型手機的搭載容量同樣倍數成長，如2015年的iPhone主流機種搭載64GB，但去年已提高至128GB，還推出內建256GB的高階機種。不僅如此，中國品牌如華為、OPPO、Vivo等也向iPhone主流儲存容量靠攏，在高階機種的行動式NAND Flash搭載量主流，已從32/64GB攀升至64/128GB，也帶動中低階機種的搭載量上升。

　由於記憶體廠今年的資本支出集中在3D NAND的轉換上，產能要等到第4季才會開出，DRAM則幾乎沒有擴產動作，只是加快1x/1y奈米的微縮。因此，記憶體今年會缺一整年，價格看來也會逐季調漲。