Q2記憶體缺口縮小…外資：短期波動 非反轉

　記憶體指標股近期波動加劇、震盪拉回，除地緣政治因素外，市場正對DDR4價格第二季漲勢可能放緩感到憂慮。摩根士丹利證券指出，韓廠若維持與第一季相同的DDR4產能水準，市場供給缺口比例將由28％收斂至20％，但這只是短期波動，而非趨勢反轉。

　記憶體指標股南亞科10日反彈攻上漲停至231元，華邦電、群聯、力積電也都反彈，旺宏則逆勢收黑。但整體而言，五檔記憶體指標股股價從波段高點以來，均拉回2～3成左右，表現並不突出。

　摩根士丹利證券考量農曆年後筆電與顯示卡需求轉弱，認為韓系記憶體廠將DDR4產能轉向GDDR7的速度，可能較先前預期放緩。

　大摩重新檢視DDR4的供需模型後發現，若韓廠第二季維持與第一季相同的DDR4產能水準，則市場供不應求的缺口比例將由先前估計的28％、收斂至20％，這也意味著韓廠在第二季的價格調整幅度可能較小。

　不過，鑑於伺服器需求仍強勁，記憶體廠持續推動產能轉向先進製程DDR5的趨勢仍將延續，因此，大摩認為供給缺口縮窄，更可能只是屬於短期波動，而非趨勢反轉。

　南亞科10日強勁反彈攻上漲停，群益投顧認為，南亞科今年營運已正式走出景氣谷底，獲利結構由短期反彈轉為中期成長循環。供給端方面，國際DRAM大廠持續將資本支出與產能轉向HBM與先進製程DDR5，傳統DDR4、LPDDR4供給長期受限，形成結構性缺貨，使相關產品價格具下檔支撐。需求端則受惠AI伺服器、邊緣運算等對記憶體搭載量提升的長期趨勢。