攻2奈米 應用材料祭三利器

　AI快速推升全球運算需求，也讓半導體先進製程重要性進一步升高。應用材料（Applied Materials）指出，AI終端與資料中心持續擴大部署，半導體產業對高效節能運算的要求正成為技術競賽核心，推動先進邏輯、高頻寬記憶體（HBM）、DRAM及先進封裝加速演進。因應2奈米及更先進節點需求，應材近日端出三項新技術，從電晶體通道、蝕刻成形到關鍵金屬佈線同步布局，鎖定環繞式閘極（GAA）新世代架構的關鍵瓶頸。

　應材集團副總裁暨台灣區總裁余定陸表示，AI時代決勝點在於能效，未來技術突破也須仰賴全產業協作。從此次推出的三項新技術可見，應材正以材料工程切入電晶體與佈線創新，協助客戶加速推進2奈米以下技術藍圖。

　隨晶片架構由平面走向3D，製造複雜度持續提高，特別是在2奈米以下節點，材料需在埃米尺度下穩定運作，製程控制難度明顯升高。業界認為，未來先進製程競爭不只是設備能力比拚，更是材料工程、元件架構與整合製程能力的全面競賽。應材此次推出的三項系統，即是鎖定這波結構性轉折而來。

　首先是Producer Viva自由基處理系統。主攻奈米片通道表面工程，可在埃米級精準度下處理材料表面，藉此降低電子散射、提升通道遷移率，使電晶體具備更快切換速度。對GAA架構而言，奈米片通道品質直接牽動元件效能與功耗表現，這項技術可望成提升電晶體速度的重要支撐。

　第二項是Centris Sym3 Z Magnum蝕刻系統，聚焦在深溝槽蝕刻製程的高精度控制。應材指出，該系統可在維持高選擇比的同時，精準塑形源極與汲極空腔，進一步打造筆直側壁與平坦矩形底部，有助於後續奈米片與磊晶製程最佳化。

　第三項則是Centris Spectral鉬原子層沉積系統。此技術以鉬取代現行鎢製接點，藉由降低電晶體與佈線關鍵連結處的電阻，改善訊號傳輸效率，進一步提升整體晶片效能。