記憶體價格漲不停 大陸NDRC：終端產品受影響

中國國家發展和改革委員會（NDRC）價格監測中心近日發布監測報告指出，自2025年9月以來，全球存儲晶片價格持續上漲，且漲幅擴大，已創下近年新高，並開始向下游終端產品傳導。

　根據該官方數據顯示，2026年1月主流DRAM（如DDR4 8Gb）合約均價約11.5美元，較2025年9月上漲約83％；NAND（128Gb MLC）均價約9.5美元，較2025年9月大幅攀升近1.5倍。

　價格監測中心分析，此輪漲勢主要來自AI與資料中心需求爆發、全球主要廠商產能結構轉向高階產品，以及市場囤貨預期升溫等因素。

　隨著高頻寬記憶體（HBM）與先進製程產品占比提升，成熟製程DRAM與NAND供給相對收縮，供需缺口擴大。

在價格快速上行之際，全球半導體競爭亦同步升溫。美中雙方對記憶體產業的政策攻防進一步升級。

全球記憶體供應鏈逐漸分裂為兩大體系，技術與產能流動性下降，市場彈性明顯收縮。

　這種結構性變化已對價格形成長期影響。隨著三星、SK海力士與美光將產能重心轉向HBM與DDR5，成熟製程DRAM與NAND供給相對收縮；中國大陸廠商在設備與技術取得受限下，產能擴張節奏放緩。供需錯位之下，市場波動性升高，業者預期，舊世代產品價格壽命將持續被拉長。