高盛預期今明兩年 記憶體面臨史上最嚴峻短缺

　記憶體漲價潮持續，市場研究機構Counterpoint於9日公布數據顯示，截至2026年第一季，記憶體價格季增80％～90％，是前所未有的創紀錄暴漲。高盛預計，2026年至2027年將面臨全球記憶體市場史上最嚴重的供應短缺之一，DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大。

　券商中國引述Counterpoint「2月記憶體價格追蹤報告」指出，本輪記憶體價格上漲的主要推手是通用伺服器DRAM價格大幅攀升。去年第四季表現相對平穩的NAND快閃記憶體，也在第一季同步上漲80％～90％，再加上部分HBM3e產品價格走高，市場正呈現全品類加速上漲趨勢。

　Counterpoint高級分析師Jeongku Choi指出，記憶體行業盈利水準預計將達到前所未有的高度。2025年第四季，DRAM營業利潤率已達到60％區間，這是通用DRAM利潤率首次超過HBM。時至2026年第一季，DRAM利潤率更將首次突破歷史峰值。

　集邦諮詢日前亦全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產品價格季增幅度預期，預估整體Conventional DRAM合約價將從1月初公布的季增55％～60％，改為上漲90％～95％。

　高盛8日公布最新報告大幅上調DRAM供應短缺預期並示警，2026年的市場將開啟過去15年來最嚴重的記憶體晶片供應短缺，涵蓋DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴大，預期2026年和2027年DRAM供不應求幅度將達到4.9％和2.5％，遠超此前預期的3.3％和1.1％。

　主要因素是由於伺服器需求的爆發式增長，高盛將2026年和2027年伺服器DRAM（不含HBM）需求預期分別上調6％和10％，預計這兩年的增長率將分別達到39％和22％。