首季記憶體價格全面上修

　TrendForce最新調查，AI與資料中心需求持續升溫，推動2026年第一季全球記憶體供需失衡再擴大，原廠議價能力明顯提升，全面上修DRAM與NAND Flash價格漲幅。

　整體conventional DRAM合約價由原估季增55～60％，上調至90～95％，NAND合約價亦由33～38％，提高至55～60％，且不排除續漲。

　TrendForce指出，PC市場方面，2025年第四季整機出貨優於預期，帶動PC DRAM持續缺貨，即便tier-1 OEM廠商，庫存水位仍下滑，預估第一季PC DRAM價格季增逾100％，創歷史新高。

　Server DRAM方面，北美與中國大陸CSP及伺服器OEM積極洽談年度長約LTA供應，搶料效應明顯，帶動價格上漲約90％。

　Mobile DRAM亦因供需缺口擴大，LPDDR4X與LPDDR5X合約價季增九成，刷新紀錄。

　NAND方面，雖訂單量遠超產能負荷，但原廠將產線轉向DRAM，進一步壓縮NAND供給，僅能透過製程升級勉強提升產出，短期瓶頸難解。

　企業級伺服器對高頻寬記憶體與高效能儲存需求同步放大，帶動eSSD訂單爆發，推升第一季價格季增53～58％，創單季新高。

　法人指出，本波漲價主因在於AI伺服器需求快速擴張，加上原廠產能集中HBM與先進製程，使成熟型DRAM與通用型NAND供給持續收斂。

　目前合約價談判已陸續完成，「有貨優先、價格由供應端主導」成為常態。產業結構方面，過去數年資本支出保守，限制產能回補速度，結構性缺口短期難解，價格高檔行情可望延續至2027年前後。

　對台灣供應鏈而言，漲價效應通常落後一至兩季反映，成熟型DRAM、NAND與NOR產品價格後續可望逐步上修，有助推升模組廠與相關業者獲利表現。

　市場傳出，陸廠長江存儲提前量產，及三星重啟平澤P4H產線等消息，雖有助中長期供給擴張，但實際放量仍需一至兩年時間，短期難以紓解壓力。

　法人認為，記憶體市場仍處於結構性偏多循環，惟須留意漲勢過快，可能帶來終端需求修正風險。