加速追趕SK海力士!三星HBM4下月供貨輝達

　韓國經濟日報引述消息報導，三星預計自今年2月起量產新一代HBM4晶片，並將供應給AI晶片龍頭輝達，顯示三星正加速追趕對手SK海力士，力拚重返先進記憶體市場主導地位。

　消息稱，三星HBM4已完成輝達與超微（AMD）的最終認證測試，客戶不再只要求樣品，而是直接簽下量產訂單。首批HBM4晶片預計2月出貨給輝達，可望立即應用在輝達新一代「Vera Rubin」AI加速器。

　輝達執行長黃仁勳日前也證實，Vera Rubin平台已經進入全面量產階段，預計於今年稍晚推出，HBM4將成為關鍵配套記憶體。

　報導指出，三星HBM4規格表現已達到業界最高水準，資料傳輸速率高達每秒11.7Gb，高於輝達與超微設定的10Gb門檻，且在客戶要求提升效能後，三星HBM4無須重新設計便通過驗證，顯示技術成熟度顯著提升。

　製程策略也是三星的一大亮點。業界指出，三星HBM4採用第六代DRAM 10奈米級製程，在記憶體本體上領先競爭對手一個世代。

　在邏輯晶片（logic die）方面，三星導入4奈米製程並由自家體系供應，使其在控制核心整合上領先多個世代，也比依靠台積電代工的同業多出更多時程彈性。

　目前SK海力士仍是輝達AI加速器HBM的主要供應商。SK海力士去年10月已與主要客戶談成今年HBM供應合約，並計劃2月在韓國清州新廠M15X投入矽晶圓生產，但尚未明確說明HBM4是否列入初期量產項目。

　三星與SK海力士預計於1月29日公布去年第四季財報，市場關注屆時是否進一步揭露HBM4訂單與出貨細節。

　分析指出，雖然三星2月即啟動量產並出貨，但HBM4全面放量仍要等到6月左右，實際供貨規模取決於輝達等客戶AI晶片的量產進度。

　由於HBM4直接整合於AI加速器中，供應節奏勢必與客戶晶片製造與上市時程高度連動。

　展望後市，三星打算進一步發揮從邏輯晶片設計、記憶體製造到先進封裝的一條龍優勢，持續推進HBM4E及客製化HBM解決方案。