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20260120李娟萍/台北報導

南亞科2026資本支出激增至500億

記憶體景氣回升速度超預期,去年轉盈;看好價格持續向上,但漲幅將趨緩。

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記憶體景氣回升超預期,南亞科2025年轉盈,並宣布2026年資本支出預計約500億元,創新高。圖/本報資料照片
南亞科2026資本支出規畫

 受惠DRAM平均售價大幅上揚與產能滿載,南亞科2025年每股稅後純益(EPS)2.13元,終止連續兩年虧損。此外,南亞科並宣布,2026年資本支出預計約500億元,創下歷史新高,亦較2025年實際支出134億元大幅成長約2.7倍;其中約7成將用於新廠廠務與無塵室建設,其餘投入設備採購。

 總經理李培瑛說,DRAM市場供需持續失衡,成熟製程產品供給收縮速度明顯快於需求下滑,形成供需缺口,價格仍將續漲,但漲幅不會超過去年第四季水準。

 南亞科19日召開法說會並公布2025年第四季財報,單季合併稅後純益達110.83億元,每股稅後純益(EPS)3.58元,創近五年新高。2025全年合併營收達665.87億元,年增95.09%,年度EPS 2.13元。值得注意的是,2025年10、11月兩個月稅後純益合計達62.74億元,彌平前三季虧損狀況,顯示記憶體景氣回升速度超預期。

 李培瑛說,去年第四季營運表現主要受惠DRAM平均售價顯著走揚及1B製程良率提升帶來的成本下降效益,並受產品組合優化及新台幣貶值逾3%帶來的匯兌利益助益,毛利率大升至49.0%,營運槓桿顯著放大。

 對後市價格走勢,李培瑛說,2025年第四季DRAM報價季增約3成,進入2026年第一季,整體價格仍將續漲,但漲幅將趨緩。

 在新產品與先進技術布局上,南亞科釋出多項進展。128GB DDR5 RDIMM 5600/6400通過功能性測試,Mono-die速度達7,200Mb/s。

 10奈米級第二代製程(1B)的16Gb DDR5-5600交運量達1成,第三、第四代製程(1C/1D)如期試產,TSV、DDP與客製化AI記憶體專案亦持續推進,顯示高階記憶體產品開發進度符合預期。

 展望未來,南亞科宣布,2026年資本支出預計約500億元,新廠預計2027年初開始裝機,2027年下半年量產,目標於2028年上半年達到月產能2萬片,產品線將涵蓋DDR4、DDR5、LPDDR4及客製化DRAM。

 李培瑛表示,2026年將動態調整產品組合,目前DDR5占比已超過1成、DDR3約2成,其餘以DDR4與LPDDR4為主,將持續朝高階與高附加價值產品邁進。(相關新聞見A3)