陸自研氫離子注入機傳突破

　大陸晶片自主化再跨出關鍵一步。繼極紫外光（EUV）光刻機原型機成功研製後，中國核工業集團（中核集團）17日透露，由旗下中國原子能科學研究院自主研製、大陸首台串列型高能氫離子注入機（POWER-750H）已完成首次試運行，核心性能達國際先進水準，意味大陸在晶片製造核心裝備領域取得重大突破。

　綜合陸媒報導，這項成果顯示大陸已全面掌握串列型高能氫離子注入機的全鏈路研發技術，突破功率半導體製造鏈關鍵環節，為高端製造裝備自主可控及保障產業鏈安全奠定堅實基礎。離子注入機與光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備，並稱為晶片製造「四大核心裝備」，是半導體製造不可或缺的關鍵設備。

　長期以來，大陸在高能氫離子注入機方面完全依賴進口，研發難度高、技術壁壘深，是制約大陸戰略性產業升級的重要瓶頸。中國原子能科學研究院利用其在核物理加速器領域數十年的技術積累，以串列加速器技術作為核心手段，克服多項技術難題，成功掌握從底層原理到整機集成的正向設計能力，打破國外企業在該領域的技術封鎖與長期壟斷。

　中核集團表示，此次高能氫離子注入機成功出束，對提升大陸在功率半導體等關鍵領域的自主保障能力，具有里程碑意義，也將成為未來半導體高端製造自主化的重要支撐。在此之前，大陸已成功研製出光刻機原型機。路透報導，大陸科研團隊於2025年初已在深圳製造出EUV光刻機原型機，目前正進入測試階段。雖尚未生產出可運作的晶片，但原型機已能成功產生極紫外光，主要用於人工智慧、智慧手機及高端計算晶片的生產。

　報導稱，團隊對EUV原型機開發過程中，採取逆向工程手法，並透過二手市場取得舊款設備零件進行研究與改進，迄今全球僅艾司摩爾（ASML）掌握完整EUV光刻技術，其設備是輝達、英特爾與三星等尖端晶片生產不可或缺的關鍵裝備。美國自2018年起施壓荷蘭，阻止向大陸銷售EUV系統，而艾司摩爾表示從未對大陸客戶出售過任何EUV設備。

　業界分析稱，POWER-750H與EUV原型機的先後突破，顯示大陸正加速推進在核心半導體裝備的國產化進程。