傳三星、SK海力士獲美許可 晶片製造設備可再輸入中國

　韓國中央日報引述消息報導，美國政府已同意在2026年對韓國晶片大廠三星電子與SK海力士的中國廠房，放寬美國製晶片製造設備的出口限制，以「年度核准」方式取代逐批申請許可。

　根據報導，美國商務部工業與安全局（BIS）已經調整政策，允許三星與SK海力士依年度計畫申請，說明所需設備的種類與數量，經核准後即可在一年內為中國廠區進口美國製半導體設備，不必為每一批出貨個別申請美國出口許可。業界普遍認為這種作法相較原本的逐案審查，行政負擔明顯降低，有助於穩定工廠營運。

　另據路透報導，美國已核發三星2026年度許可，確保三星位於西安的NAND Flash工廠在2026年可持續運作不中斷。該廠生產全球相當大比例的NAND Flash晶片，在全球記憶體供應鏈當中握有關鍵地位。另有媒體指出，SK海力士也獲得類似核准，適用於無錫的DRAM廠及大連的NAND Flash廠。

　過去，三星西安廠以及SK海力士位於無錫與大連的廠房皆被列為「經核准最終用戶」（Validated End User，VEU），得以在不需逐案申請的情況之下，引進美國製晶片設備。然而，BIS於2025年8月宣布自12月31日起取消三星與SK海力士中國廠的VEU資格，令外界一度擔憂相關企業未來每次進口設備都需要向美方申請，恐對產線運作造成衝擊。

　依照原先規畫，VEU資格一旦撤銷，兩家公司每年可能需提出多達上千件出口許可申請。如今改採年度核准制度，被視為折衷方案，既維持美方對先進半導體設備流向的監管，也避免對全球記憶體供應鏈造成劇烈干擾。