台積電N2量產! 供應鏈2026迎風起

　全球半導體製程競賽正式邁入新紀元。台積電近日於官網悄然更新，確認其2奈米（N2）製程已於2025年第四季如期進入量產階段，象徵台積電2奈米元年正式展開，並於2026年邁入產能起飛期。供應鏈普遍預期，2奈米製程將進入實質放量階段，帶動關鍵材料與耗材需求同步升溫。

　隨著電晶體結構持續複雜化，傳統沉積技術逐漸逼近極限，原子層沉積（ALD）的重要性快速躍升。法人指出，台特化、宇川精密積極切入ALD前驅物領域；而中砂、昇陽半、頌勝科技等2奈米耗材供應鏈亦同步卡位，台系材料與耗材業者加速搶進埃米世代的新商機。

　台積電2奈米製程主要生產基地以高雄Fab 22為核心，新竹寶山亦有部分產能，N2製程導入第一代奈米片（Nanosheet）電晶體架構。供應鏈透露，2奈米世代的EUV層數仍維持約20～23層；在更先進的A10製程規劃中，台積電持續朝「減EUV」方向推進，甚至延續採用Low-NA EUV機台，以兼顧製程可行性與成本結構。

　半導體業者認為，ALD是關鍵複雜結構的解方。過去在FinFET結構下，化學氣相沉積（CVD）與物理氣相沉積（PVD）尚能支應，邁入GAA架構後，ALD透過前驅物在基板表面進行「自我侷限反應」，可逐層堆疊原子級薄膜，兼顧均勻性與滲透性，已成先進製程不可或缺的核心技術。

　法人分析，目前稀土類ALD前驅物仍以法國液空供應為主，台廠中，台特化持續加速佈局；宇川精密則深耕有機金屬前驅物多年，已有產品獲先進製程客戶導入驗證。業界認為，能否掌握稀土類ALD前驅物的合成與純化技術，將是2奈米以下製程推進的關鍵門檻。

　此外，台積電海內外擴廠同步推進。外電指出，台積電美國亞利桑那州晶圓廠的3奈米製程量產時程，預計將提前至2027年、較原定規畫提早一年。

　業界解讀，台灣2奈米量產節奏與美國3奈米時程前移，形成先進製程「雙軸推進」布局，有助強化全球供應韌性，台系材料與耗材廠受惠態勢更為明確。

（相關新聞見A3、A10）