美智庫示警…陸網羅DUVi設備 成安全漏洞

外媒日前披露，中國大陸疑似打造極紫外光（EUV）曝光機原型機，在生產先進AI晶片取得重大進展。美國華府智庫「新美國安全中心」（CNAS）最新指出，中方最快仍要到2030年才能具備商業可行性，但真正的威脅是，中國可輕易取得舊款曝光機設備，美國必須堵住此一漏洞，以維護美國晶片企業的全球競爭優勢。

路透19日的報導指出，中國大陸已在深圳成功打造EUV曝光機原型機。中方透過二手市場取得舊款艾司摩爾（ASML）設備零件，經由逆向工程製作而成。

CNAS在同一天公布題為「出口管制漏洞助長中國晶片產能」的報告，認為外界大肆炒作中國在半導體設備上的突破，但劃錯重點。

報告指出，2019年，當時美國與荷蘭合作，禁止中國取得EUV設備，迫使中國花費多年時間進行逆向工程與自力研發。雖然中國在EUV發展上仍在努力，但已悄悄利用出口管制漏洞，取得前一代設備（DUVi），並進行升級，成功製造接近最先進水準的晶片。

報告強調，現行出口管制僅禁止對中國出口最先進DUVi設備，對舊設備限制較寬鬆，多數中國廠商仍可購買，甚至可利用管制前購得的設備，或從未受管制的地方取得。2024年，ASML約70％的DUVi系統銷往中國企業。

報告示警稱，上述設備流入中國，對美國國家利益造成三大挑戰：一、弱化現有出口管制效果。二、中國將縮小與美國在運算能力上的差距。三、若中國能批次生產先進AI晶片並以低價銷售，將削弱美國AI企業的全球競爭力。報告建議，美國應透過外交協調與盟國合作，加強出口管制一致性。此外，美方可利用外國直接產品規則，單方面禁止中國取得海外DUVi設備，必要時可施行跨境管制，以確保技術優勢地位。