國產EUV曝光 陸版曼哈頓計畫報捷

　中國半導體自主化18日傳出重大進展，深圳一處高度保密的實驗室已成功打造出極紫外光（EUV）曝光機原型機，這項被美國長期封鎖的關鍵設備目前已進入測試階段。外媒報導，該設備由前荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）工程師團隊主導，試圖透過逆向工程打破西方對高階晶片製造設備的壟斷。

　路透報導，EUV曝光機被視為半導體技術競逐的核心設備，目前全球市場由ASML主導，單台設備售價高達2.5億美元，是台積電、三星生產先進晶片的關鍵設備。儘管ASML執行長富凱（Christophe Fouquet）曾斷言中國仍需多年才能突破，但這台已能產生極紫外光的原型機，反映出中國的研發進度可能已超前市場預期。

　這項類似二戰「曼哈頓計畫」的秘密專案已運作6年，由華為擔任核心協調者，串聯中國多家研究機構與企業，動員數以千計的工程師參與。專案層級極高，直接受中共中央科技委員會指揮，目標是建立一套完全不依賴外國技術的半導體生產鏈，其保密程度極高，內部成員溝通時甚至必須使用化名。

　知情人士透露，部分受雇的華裔工程師在入職時被要求使用假身分證件，並提供其人民幣高達300萬元至500萬元的簽約金與購屋補貼。研發場域實施封閉式管理，不同團隊之間資訊隔離，部分成員在執行敏感任務期間，甚至被限制對外通訊與返家。

　在設備零組件方面，由於無法直接購入新機，研發團隊透過中間商與二手拍賣市場取得舊型ASML設備，並拆解部分受出口管制的日本Nikon與Canon的零組件進行改裝。雖然目前原型機已能運作，但中國仍面臨極度精密的「光學系統」瓶頸。目前中方設定目標在2028年利用該原型機產出可用晶片，並於2030年量產，這比市場原先預估的10年期程提前不少。

　隨著硬體設備的推進，中國政府正同步強化供應鏈各環節。近期中國國家大基金三期入股安捷利美維，顯示中方正將資金投入技術壁壘極高的「IC載板」領域。IC載板是連接晶片與印刷電路板（PCB）的核心載體，技術門檻高且自給率低，是達成半導體完全自主化不可或缺的拼圖。