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20251205張珈睿/台北報導

聯電揪Polar 擴大在美製造

繼英特爾後,與美廠簽署MOU,強化美國本土八吋晶圓成熟製程布局

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聯電4日宣布與美國高壓、功率及感測半導體專業代工廠Polar簽署合作備忘錄,雙方將就美國本土八吋晶圓製造的深度合作展開洽談。圖/本報資料照片
聯電與美晶圓代工業者合作比較

 成熟製程晶圓代工廠聯電4日宣布,與美國高壓、功率及感測半導體專業代工廠Polar Semiconductor, LLC(Polar)簽署合作備忘錄(MOU),雙方將就美國本土八吋晶圓製造的深度合作展開洽談。此舉是繼與英特爾(Intel)攜手進入12奈米FinFET製程後,聯電再以合作方式擴大美國在地製造產能,在全球供應鏈重組趨勢下進行關鍵戰略布局。

 據悉,該合作聚焦在Polar近期擴建的明尼蘇達州八吋廠;聯電將結合其八吋製程技術組合與龐大的全球客戶基礎,與Polar穩健的在地製造能力互補,共同選定具體生產項目。此合作直接呼應美國強化本土半導體製造的國家戰略,使雙方處於有利位置,可望受惠《晶片法案》或其他後續政策支持及相關產業投資。

半導體業界分析,該布局反映聯電以攜手美國在地晶圓廠方式,進行全球布局;全球地緣政治風險升高為主要考量,聯電透過綁定美國本土產能,能有效降低客戶在航太、國防等對供應安全敏感之產業面臨的風險;相較於台積電透過直接設廠方式,更具備營運槓桿彈性,然未來在主導權則視雙方投入而定。

 據悉,聯電與英特爾12奈米合作進展順利,將於明年1月正式提供客戶製程設計套件(PDK),2027年上半年交付製造(tape-out),並開始逐步貢獻營收。外界分析,未來雙方將持續洽談下一世代製程的合作機會,其中,英特爾衝刺先進製程,Intel 7、4都有可能會是下階段聯電邁進先進製程之契機。

 供應鏈更透露,聯電在先進封裝領域亦在發力,包括嵌入式深溝槽電容(DTC)、Wafer-to-Wafer堆疊等,目標涵蓋晶片封裝與客製化堆疊記憶體專案,應用於AI、HPC或消費性電子領域。

聯電全球業務資深副總經理張士昌表示:「在聯電致力透過多元的製程技術及全球布局,為客戶提供彈性的供應鏈選擇。」

 Polar行銷副總經理Ken Obuszewski指出,此次戰略合作充分體現Polar滿足本土半導體製造日益增長需求的決心,憑藉在功率及感測領域的專業技術與在地優勢,與聯電的合作將有效推動業務成長。