長鑫存儲DDR5趕上韓大廠

　大陸記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）日前發表其DDR5（第五代同步動態隨機存取記憶體）產品，韓媒分析指出，該產品部分性能已與三星電子和SK海力士的最新DRAM相當，預計長鑫將於明年量產。分析並指出，在通用DRAM市場，中韓之間的技術差距在「一年以內」。

　長鑫存儲23日發表7款先進DRAM產品，包括DDR5和LPDDR5X等。長鑫當時指出，其DDR5記憶體最高速度可達每秒8,000Mbps，較上一代產品的6,400Mbps提升25％，單顆容量為24Gb。韓國科技媒體Business Korea引述分析報導，這項性能與三星和海力士的最新DRAM相當。

　報導指出，評估半導體公司能力的標準包括技術路線、良率和量產能力，CXMT新產品表明，至少在技術路線方面，該公司已經趕上韓廠。考慮美國嚴格的半導體技術和設備出口管制已持續5年多，陸廠有此成果出乎意料。

　報導指出，預計長鑫存儲將於明年開始全面量產DDR5和LPDDR5X，用於最新的伺服器、PC和智慧型手機。分析認為，這有望削弱因市場供應不足而引發的「記憶體超級週期」強度，並對韓廠在中國的營收造成衝擊。

　報導還表示，目前，韓廠和陸廠在通用DRAM的技術差距被評估為「一年以內」。此一差距持續存在，是由於美國阻止DRAM電路小型化所需的關鍵設備出口，例如艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）曝光機。

　報導提到，未來可能出現的「變數」是三維（3D）DRAM時代，預計最快2030年開啟。而3D DRAM時代到來後，對EUV的需求將降低，可能為中國企業帶來機會。

　首爾大學材料科學與工程系主任教授黃哲成（音譯）表示，單從記憶體技術水平看，韓中之間的差距幾乎已經消失，大約5年後，當不需要EUV的3D DRAM時代到來時，中國將進一步領先。