華邦電砸355億擴產

　記憶體價格反轉向上、產能逐步回歸滿載之際，華邦電（2344）27日董事會通過核准355.09億元資本支出預算，涵蓋生產設備、廠務設施與研發設備三大領域，資金將由自有資金與銀行融資共同支應，預計自今年10月起陸續投入，較年初2月公布資本支出預算53億元，調高近5.7倍，更是近期罕見的大規模擴產動作。

　受惠AI應用需求強勁，加上先進製程產能排擠效應，記憶體近期報價明顯反彈，包括DRAM（動態隨機存取記憶體）與NAND Flash（儲存型快閃記憶體）價格皆呈現上行趨勢，市場熱度預料將延續至明年上半年。

　華邦電總經理陳沛銘日前指出，DRAM市場供需已出現結構性改變，自7月起訂單動能明顯轉強，許多過去難以切入的客戶，主動洽談長期合作，甚至提出多年期合約需求，反映出對DDR4產品的高度期待與市場供應缺口。

　他表示，三星、SK海力士與美光等三大記憶體廠已全面轉向HBM（高頻寬記憶體）與DDR5領域，不再供應DDR4，導致短期供需失衡更加惡化，也讓華邦電在DDR4市場的切入契機浮現。此外，NOR Flash（編碼型快閃記憶體）需求亦同步回溫，產品價格已開始調漲，公司對2026年營收挑戰千億元保持樂觀。

　華邦電高雄廠目前月產能約1.5萬片，全部用於DRAM生產，其中20奈米製程約占1萬片，其餘25奈米，預計2026年第一季導入16奈米製程；台中廠以Flash為主，總產能約5萬片，NOR約2.5萬片、NAND約1.5萬片，另1萬片用於傳統型DRAM生產。

　隨SLC NAND供應持續緊縮、NOR Flash供需回歸平衡，加上DDR3與DDR4合約價自第三季起穩步上揚，法人預期華邦電下半年毛利率與營收動能將同步提升。至於上半年因價格低迷，公司已提列約50～60億元存貨跌價損失，隨市場反轉，預估第三季與第四季將有跌價損失迴轉，對獲利貢獻可期。