良率逼近80％ 三星1c DRAM推進量產

　據韓媒報導，三星最新一代「1c DRAM」製程良率近期顯著提升，已由先前約70％，進一步逼近80％目標。業內人士透露，三星已克服早期製程缺陷問題，內部對1c DRAM的性能與穩定性「充滿信心」，並正積極推進量產導入。

　業者指出，DRAM從實驗室階段轉入量產初期時，成品率通常僅約50％，需提升至80％至90％，才能進入穩定商轉。

　鑑於DRAM為HBM核心元件，這項進展也預示著三星的HBM4量產計畫，即將啟動。隨著DRAM良率改善，三星已將平澤（Pyeongtaek）P4晶圓廠，定位為1c DRAM的主要生產基地，相關設備已完成安裝，即將啟動大規模量產。

　HBM市場領導大廠SK海力士目前採用「1b DRAM」，作為其HBM4核心，並已宣布HBM4開發完成、進入量產準備階段，被視為率先卡位市場。

　根據韓媒報導，SK海力士計畫在HBM4E量產後，再擴大1c DRAM的產量，HBM4E將以1c為核心晶片。至於即將於2025年下半年量產的HBM4，則繼續採用更成熟的1b DRAM製程。

　而另一HBM供應商美光亦積極布局，其HBM4樣品已出貨，頻寬高達2.8TB／s，顯示技術進展迅速。

　法人認為，若三星能使1c DRAM良率穩定達80％以上，將突破HBM4量產關鍵門檻，不僅有助其重奪高頻寬記憶體市場主導權，也將強化其在AI伺服器用記憶體的競爭地位。