AI伺服器電源迎變革 功率元件廠卡位

　AI伺服器電源架構正迎來重大變革，德州儀器（TI）白皮書指出，隨機架功率（Rack power）在未來兩到三年內突破1MW，OCP電源架構正加速從傳統48V或54V，邁向高壓800V直流（VDC）供電體系。此舉將重新定義資料中心能量傳輸方式，為台系功率元件廠如強茂（2481）、德微（3675）、朋程（8255）帶來新一波成長契機。

　TI於開放運算計畫全球高峰會（OCP）展出與輝達合作開發之電源管理產品。TI白皮書指出，1MW能量密度提升，引發資料中心供電架構重新設計的需求；為降低傳輸損耗、提升能效，系統設計正從傳統48V／54V轉向800V直流架構（VDC），將帶來功率轉換與控制的技術挑戰。

高壓直流系統導入，對功率元件提出更嚴苛要求；如熱插拔、隔離閘極驅動器、DC／DC轉換模組及功率MOSFET、IGBT等零組件，皆需升級至耐壓千伏以上等級。法人看好，憑藉完整供應鏈與封測優勢，有望在AI伺服器高壓化浪潮中扮演關鍵角色。

　其中，強茂積極開發高壓SiC（碳化矽）與超接合面MOSFET，涵蓋650V至1200V電壓等級，並切入伺服器與資料中心電源供應鏈；德微則在同步整流與高壓二極體領域具技術優勢，Low VF二極體已導入AI伺服器PSU及邊緣運算產品。

朋程也提供650V～1200V之SiC離散式元件。供應鏈透露，朋程已取得台灣儲能客戶SiC模組訂單，並於第三季進行驗證，若進度順利、明年將小量量產；據悉，朋程與茂矽已建置SiC產能，目前8吋SiC月產能約能達6千至1萬片。

　業者觀察，GB200 NVL72機櫃導入Power shelf設計，每層搭載6顆5.5KW之電源供應器，滿足標準機櫃總設計功率120KW之標準。不過，由於Compute Tray、Switch Tray已占約7成空間，要在Power shelf以外再納入BBU、Capacitor（電容），將面臨空間不足。因此，2027年輝達將開始朝800V VDC數據中心電力基礎設施發展。業者分析，在Vera Rubin世代，就有機會看到VDC結合Power Rack為伺服器供電。