明遠精密 營運添柴火

半導體製程朝向3D結構演進，原子層沉積（ALD）因以原子級厚度精準堆疊、並在高深寬比結構中維持高覆蓋率，正由選配走向標配。業界指出，ALD關鍵周邊臭氧供氣系統已成氧化反應重要供應模組，明遠精密（7704）臭氧供氣解決方案陸續獲國際半導體設備大廠採用，在先進製程、記憶體與先進封裝的導入腳步加快下，有望推升未來接單與營運動能。

　明遠精密聚焦「薄膜與電漿製程的設備子系統」，包含臭氧O₃供氣系統、遠端電漿源（RPS）與射頻電源（RF Power）等。該公司表示，臭氧供氣系統可提供高純度、穩定濃度之活性氧化劑，對熱式ALD與部分氧化類CVD製程均能支援。

受惠2奈米世代、GAA環繞閘極、背面供電（BSPDN）與3D NAND層數攀升等趨勢，ALD站點數量與規格正同步提升，對應到臭氧流量、純度與即時控制能力皆上修。法人解讀，先進製程「站點增加＋規格升級」帶動周邊模組價量齊揚，具備高穩定度、高可靠度與在地服務能力的供應商，將優先受惠長單與擴充案，明遠精密已跨入國際設備鏈驗證門檻，訂單能見度可望逐季改善。

營運布局上，明遠精密除持續優化臭氧產生效率與純度控制，也同步強化RPS、RF電源等模組的系統整合能力，協助客戶縮短機台調校時間、提升良率與稼動率；另方面，為因應先進製程對AMC（空氣分子污染）與金屬離子雜質高度敏感，公司亦投入氣路材料、密封與過濾元件的整體方案，提升模組級可靠性。

　展望後市，市場預期AI／HPC擴產、HBM與先進封裝量能擴張，將推動ALD滲透率上行，相關臭氧／RPS／RF子系統需求同步放大。明遠精密表示，將以「與國際大客戶協同開發＋在地快速服務」為核心，擴大於先進邏輯、記憶體與封裝領域的滲透。