長江存儲擬進軍DRAM 拚HBM晶片

　自美國2024年底擴大出口管制，限制中國取得高頻寬記憶體（HBM）後，中企急於提升先進晶片製造能力。外媒25日報導，中國NAND Flash大廠長江存儲正計畫跨足DRAM晶片製造領域，其中包括用於打造AI晶片組的HBM。

　路透報導，在華為、字節跳動等中國科技巨頭正開發自家AI晶片之際，美國的管制措施已使HBM晶片成為中國AI產業的迫切需求。知情人士透露，長江存儲正在開發先進晶片封裝技術：矽通孔（TSV），用於堆疊DRAM以生產HBM晶片。

　HBM晶片目前主要由美國的美光、韓國的SK海力士與三星電子生產，並用於製造輝達和超微（AMD）等公司銷售的AI晶片組。在中國市場，長江存儲的主要競爭對手長鑫存儲也已在開發HBM晶片。

　知情人士指出，長江存儲正考慮將其在武漢興建中的新廠房，部分用於生產DRAM晶片。根據「企查查」的資料顯示，長江存儲9月稍早成立一家新公司，以在武漢興建第三座晶圓廠，註冊資本為人民幣（下同）207億元。

　投行摩根士丹利報告指出，長江存儲在武漢的兩座現有晶圓廠主要專注於NAND晶片，截至2024年底，月產能可達16萬片12吋晶圓，預計2025年將再擴產6.5萬片。

　第一財經報導，長江存儲母公司長存集團近日召開股份公司成立大會，並選出股份公司首屆董事會成員，此舉意味著該公司完成股份制改革。一般而言，進行股份制改革是企業提升經營效率、健全公司治理的行為，也被認為是一些企業尋求上市的前奏。長江存儲尚未公布上市計畫，但已否認「借殼上市」路徑。

　全球AI算力熱潮正持續推升記憶體晶片的需求，帶動產業迎來新一波成長週期。根據市場研究機構QYResearch預測，全球記憶體晶片市場銷售額將在2031年達到1.58兆元，2025年至2031年的年複合成長率為9.3％。在此趨勢下，長存集團等中國指標性業者正瞄準此商機，加速發展。